Samsung разработала быстродействующую мобильную DRAM

Компания Samsung начала поставки образцов, первой в индустрии, по ее заявлению, монолитной микросхемы памяти LPDDR2 DRAM емкостью 4 Гб, изготовляемой по технологии класса 30 нм. Этот чип предназначен для применения в высокоуровневых портативных устройствах, в том числе в смартфонах и планшетных ПК.

Пропускная способность новой памяти достигает 1066 Мб/с, что приближается к быстродействию DRAM для настольных компьютеров и более, чем вдвое превосходит производительность современной мобильной памяти – от 333 до 400 Мб/с.

Samsung намерена предложить модуль из двух 4-гигабитных чипов в общем корпусе, так как, по прогнозам, 8 Гб будет наиболее востребованным номиналом для встраиваемой мобильной DRAM в следующем году. Подобный модуль будет на 20% тоньше и на 25% экономичней, чем аналог, собранный из чипов предыдущего поколения (2 Гб, 40 нм).