Під час проведення заходу Memory Tech Day компанія Samsung поділилася новими відомостями про свої продукти пам’яті наступного покоління, включаючи пам’ять GDDR7. Разом із GDDR7 Samsung анонсувала пам’ять Shinebolt HBM3E, яка розробляється для майбутніх систем ШІ та обчислювальних GPU.
Пам’ять GDDR7 знаходиться у розробці вже деякий час. Вона з’явиться у відеокартах наступного покоління RTX 50-ї серії (Blackwell) та RX 8000-ї серії (RDNA 4). Samsung не стала ділитися всіма подробицями, але заявила про зниження енергоспоживання в режимі очікування на 50%. Це допоможе знизити загальне споживання енергії в режимі очікування. Очікується також зниження енергоспоживання для конфігурацій з кількох моніторів та під час перегляду відео.
Пам’ять GDDR7 повинна працювати при напрузі живлення 1,2 В порівняно з 1,35 для GDDR6 і GDDR6X. Загальна пропускна здатність для 256-бітної шини пам’яті повинна досягати 1 ТБ/с, а у разі 384-бітної шини цей показник збільшиться ще на 50%.
Раніше Samsung повідомляла, що її пам’ять GDDR7 використовуватиме сигналізацію PAM3 на відміну від PAM4 в GDDR6X. Хоча PAM4 краще підходить для більш високих частот, PAM3 простіше реалізувати, що робить його найкращим варіантом для доступних споживчих відеокарт.
Відеокарти з пам’яттю GDDR7 можна очікувати не раніше ніж за рік. Швидше за все, її використання буде обмежено пристроями високого класу. Відеокарти початкового рівня наступного покоління, швидше за все, будуть використовувати GDDR6 принаймні доки виробництво не масштабується до потрібних обсягів. Samsung поки не повідомила про початок масового виробництва GDDR7.
Samsung також розповіла про свою пам’ять HBM3E наступного покоління. Пам’ять Shinebolt може досягати швидкості до 9,8 Гбіт/с на контакт, що забезпечить пропускну здатність одного стека HBM3E 1225 ГБ/с. Це набагато вище, ніж 819 Гбіт/с, які пропонує HBM3. Таку пам’ять можна об’єднувати та нарощувати показники. В результаті флагманський GPU теоретично може комплектуватися до 216 ГБ пам’яті з пропускною здатністю 7,35 ТБ/с.
Джерело: pcgamer