Toshiba создала модуль памяти NAND емкостью 64 ГБ

Компания Toshiba представила новый встраиваемый модуль памяти типа NAND, емкостью 64 ГБ, который позиционируется в качестве самого высокоемкого на данный момент.

Новинка включает в себя отдельный контроллер и 16 чипов памяти емкостью 32 Гб каждый, которые производятся по нормам 32-нанометрового технологического процесса. Представленные модули могут использоваться в составе мобильных устройств, например портативных мультимедийных проигрывателей или смартфонов. Как сообщает производитель, за счет применения новинок емкость встроенной памяти iPhone можно увеличить до 64 ГБ, а iPod touch — до 128 ГБ.

Отмечается, что новые модули памяти Toshiba начнут поставляться разработчикам мобильных устройств в виде тестовых образцов уже в этом месяце, а их массовый выпуск запланирован на первый квартал 2010 года.