Новости Технологии 13.03.2025 в 18:10 comment views icon

Без кремния: «первый в мире 2D-транзистор GAAFET» на 40% быстрее аналогов Intel

author avatar

Олександр Федоткін

Автор новостей и статей

Без кремния: «первый в мире 2D-транзистор GAAFET» на 40% быстрее аналогов Intel
Раздел Технологии выходит при поддержке

Разработчики из Пекинского университета заявили о создании первого в мире двумерного маломощного транзистора GAAFET.

Китайские исследователи называют собственную разработку «многослойной, пластинчатой, монокристаллической двумерной конфигурацией GAA.

«Это самый быстрый и самый эффективный транзистор из когда-либо созданных. Если инновации в области чипов на основе существующих материалов считаются «коротким путем», то наша разработка транзисторов на основе 2D-материалов похожа на «смену полосы движения»», — заявляет руководитель исследования, профессор Пен Хайлинь.

Разработчики уверяют, что их транзистор по результатам тестов превзошел аналогичные разработки Intel, TSMC, Samsung и других производителей. Полевые транзисторы Gate-all-around, сокращенно GAAFET, являются следующим этапом эволюции технологии транзисторов после MOSFET и FINFET.

Последние инновации в производстве транзисторов были достигнуты в основном за счет улучшения контроля за источниками и лучшей связи с затворами. Если у MOSFET-транзисторов затвор контактирует с источником только в одной плоскости, у FINFET — затворы касаются трех плоскостей, схема Gate-all-around охватывает все источники, пересекающиеся в затворах.

Такие транзисторы не являются чем-то новым. Технология производства транзисторов необходима для изготовления микросхем на уровне 3 нанометров и ниже. Однако ключевая особенность китайской разработки заключается в двумерных транзисторах, что обусловлено использованием альтернативных кремниевым элементов.

В качестве альтернативы кремнию китайские разработчики использовали полупроводниковый материал оксиселенид висмута (Bi₂O₂Se), способный быть двумерным полупроводником. Такие полупроводники более гибкие и прочные, когда имеют малые размеры, по сравнению с кремнием, который демонстрирует пониженную подвижность носителей даже на уровне в 10 нанометров.

Из-за торговой войны с США Китай остался без доступа к таким технологиям, как EUV-литография для производства интегральных схем. В связи с этим Китай инвестировал большие средства в создание альтернативных технологий

Поскольку США могут ужесточить свои торговые ограничения на доступ Китая к технологиям, включая потенциальный запрет на технологию GAAFET, китайская технологическая индустрия пытается играть на опережение.

Ученые создали электрохимические транзисторы с рядом уникальных свойств для применения в биоэлектронике и носимых устройствах

Материал опубликован в журнале Nature

Источник: tomsHardware

Раздел Технологии выходит при поддержке

Favbet Tech – это IT-компания со 100% украинской ДНК, которая создает совершенные сервисы для iGaming и Betting с использованием передовых технологий и предоставляет доступ к ним. Favbet Tech разрабатывает инновационное программное обеспечение через сложную многокомпонентную платформу, способную выдерживать огромные нагрузки и создавать уникальный опыт для игроков.


Що думаєте про цю статтю?
Голосів:
Файно є
Файно є
Йой, най буде!
Йой, най буде!
Трясця!
Трясця!
Ну такої...
Ну такої...
Бісить, аж тіпає!
Бісить, аж тіпає!
Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: