В своем недавнем выступлении на конференции SC19 компания AMD рассказала о своей грядущей процессорной микроархитектуре Zen 3. Отмечается, что она разработана для улучшенного 7-нанометрового производственного процесса с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете, который позволит значительно увеличить плотность размещения транзисторов в чипе.
Благодаря этому микроархитектура AMD Zen 3 сможет демонстрировать заметный прирост производительности. Как ожидается, показатель количества выполняемых инструкций за такт увеличится на 15%. Примерно такой же прирост показателя ожидался и перед выходом микроархитектуры Zen 2, и фактически он оказался даже немного выше 15% по сравнению с оригинальной микроархитектурой Zen. Что касается заявления AMD на SC19, то здесь скорее речь идёт не о самом показателе количества выполняемых инструкций за такт, а скорее об общем повышении производительности конечных продуктов по сравнению с их предшественниками.
Указанный выше 7-нанометровый техпроцесс с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете позволит увеличить плотность транзисторов примерно на 20%. Таким образом, разработчики чипов смогут выделить больше транзисторов для нужд компонентов, обрабатывающих требовательные наборы команд, такие как AVX-512. Также упоминается о повышении тактовой частоты. За счёт этих факторов и ожидается прирост производительности процессоров на базе новой микроархитектуры.
Источник: techpowerup
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: