Новости Технологии 26.05.2009 в 09:06

Мультиферроические материалы дадут дальнейшее развитие магнитным накопителям

https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/plugins/userswp/assets/images/no_profile.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/plugins/userswp/assets/images/no_profile.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/plugins/userswp/assets/images/no_profile.png

Ученые из Лаборатории Беркли (Калифорния, США) продемонстрировали возможность использования магнитных полей в качестве переключателей в мультиферроических материалах. По их мнению, это позволит в будущем и дальше развивать системы хранения информации на вращающихся магнитных носителях.

Курс
GAME DESIGN
Дізнайтесь все про розробку ігор. Ставайте справжнім геймдевелопером!
Вивчити курс
gamepad

Мультиферроические материалы обладают уникальной комбинацией электрических и магнитных свойств. К тому же они способны быстро осуществлять переключение состояния «включено» и «выключено». Это позволяет создавать, удалять и инвертировать связи в тонких ферритовых висмутовых пленках с включениями кальция, сообщил руководитель разработок Рамамурти Рамеш (Ramamoorthy Ramesh). Благодаря комбинации электрической проводимости и электрических и магнетических свойств мультиферроического висмутового феррита теперь ученые могут объединять мегнетоэлектронику и магнетоэлектричество при комнатной температуре.


Завантаження коментарів...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: