Новости Устройства 19.07.2023 comment views icon

Первые чипы на техпроцессе Samsung SF3E (3 нм) замечены в оборудовании для майнинга

author avatar

Андрій Русанов

Редактор новостей

Samsung SF3E (3 нм)

Примерно год назад Samsung начала производство чипов на техпроцессе SF3E (3 нм), но ни один заказчик чипов не был заметчен в его использовании. Первые такие чипы недавно замечены в ASIC MicroBT Whatsminer M56S++. Устройства ASIC служат для майнинга криптовалют.

О Whatsminer M56S++ известно не так много. Он использует алгоритм SHA-256 и обеспечивает хешрейт 200TH/s~212TH/s, потребляя 5550 Вт от трехфазной сети 380 В. Требования к наибольшей возможной эффективности ASIC делают их хорошим испытательным полигоном для новинок полупроводниковой индустрии. Samsung ничего не говорит об использовании чипов SF3E в ASIC или других сторонних устройствах, но заявляет об их применении в собственной технике.

Samsung SF3E (3 нм)

«Мы массово используем техпроцесс 3 нм первого поколения со стабильным выходом чипов. Основываясь на этом опыте, мы разрабатываем процесс второго поколения, чтобы расширить возможности массового производства».

По сравнению с технологией 5 нм класса Samsung второго поколения (SF5, 5LPP), технология SF3E (также известная как 3GAE) снижает энергопотребление чипов примерно на 45% при сохранении той же сложности и частоты или повышает производительность на 23% с аналогичным количество транзисторов за единицу времени. Кроме того, интегральные схемы 3 нм занимают на 16% меньше площади.

Samsung улучшила показатели выхода годных чипов: до 75% для 4-нм и около 60% для 3-нм техпроцессов

Источник: Tom’s Hardware

Що думаєте про цю статтю?
Голосів:
Файно є
Файно є
Йой, най буде!
Йой, най буде!
Трясця!
Трясця!
Ну такої...
Ну такої...
Бісить, аж тіпає!
Бісить, аж тіпає!
Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: