Samsung разработала микросхему Green DDR3 с детализацией 30 нм

Чипы плотностью 2 Гб, ставшие первыми в индустрии устройствами памяти DDR3, изготовленными по техпроцессу с нормой 30 нм, по заявлению Samsung, успешно прошли квалификационные испытания у клиентов этого корейского производителя полупроводников.

Новая память 30-нанометрового класса – Green DRAM – имеет сниженное на 30% энергопотребление по сравнению с 50-нанометровой DRAM: четырехгигабайтовый модуль для ноутбука будет расходовать всего 3 Вт, что составляет около 3% от общей мощности портативного ПК.

В результате перехода на массовое производство по технологии 30 нм, запланированного на вторую половину года, компания ожидает увеличения продуктивности на 60% по отношению к 40-нанометровой DDR3 и удвоения ценовой эффективности по сравнению с DRAM уровня детализации 50 или 60 нм.