ADATA представила DDR4-модули памяти XPG SPECTRIX D40 RGB с поддержкой настраиваемой подсветки ASUS AURA Sync
Компания ADATA Technology объявила о том, что ее новый модуль памяти XPG SPECTRIX D40 RGB DDR4 получил сертифицированную поддержку технологии RGB-подсветки ASUS AURA Sync. Благодаря этому пользователи материнских…
ADATA представила SSD-накопитель S10 (PCIe Gen3x4 NVMe 1.2) с усиленным охлаждением и модуль памяти D10 DDR4 из новой геймерской линейки XPG GAMMIX
Компания ADATA Technology представила новый SSD-накопитель GAMMIX S10 и модуль памяти D10 DDR4 из игровой линейки XPG GAMMIX, впервые продемонстрированной на Computex 2017. Линейка GAMMIX ориентирована на геймеров,…
TrendForce: Средний объем ОЗУ в смартфонах 2017 модельного года составит 3,2 ГБ (на 33% больше, чем в прошлом году), а iPhone 8 не получит 4 ГБ ОЗУ
Исследовательская компания TrendForce опубликовала очередной прогноз, связанный с объемом оперативной памяти в новых моделях смартфонов. Согласно выводам экспертов компании, объем ОЗУ в…
ADATA представила SD-карты памяти SLC Industrial (ISDD361) для использования в экстремальных условиях
Компания ADATA Technology представила новые SD-карты памяти промышленного стандарта ISDD361, в которых применяются специально отобранные чипы флэш-памяти SLC NAND, упакованные в усиленный корпус,…
Silicon Power увеличивает объем карт памяти Superior Pro SDXC UHS-I (U3) и Elite microSDXC UHS-I (U1) до 256 ГБ
Едва ли кто-то станет оспаривать утверждение чем больше памяти, тем лучше. Эта неоспоримая истина прекрасно известна компании Silicon Power, ведущему мировому поставщику решений хранения данных,…
SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD
Компания SK Hynix анонсировала первую в отрасли 72-слойную флэш-память 3D NAND плотностью 256 Гбит, в которой используются ячейки TLC и другие фирменные разработки производителя.
JEDEC анонсировала разработку памяти DDR5, которая будет вдвое быстрее нынешней DDR4
Организация JEDEC, занимающаяся стандартизацией в микроэлектронной отрасли, сообщила, что разработка спецификаций DDR5 SDRAM и NVDIMM-P идет по плану – оба стандарта будут приняты в 2018 году.
Ученые IBM создали «атомарный» жесткий диск
За последние десятилетия плотность хранения информации сильно возросла при одновременном уменьшении физических размеров электронных носителей – сегодня в крошечном чипе памяти смартфона…
Micron выпустит память GDDR6 в конце этого года
В Micron перенесли выпуск GDDR6 с 2018 на конец 2017 года.
У SK Hynix готовы первые в мире микросхемы мобильной памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ
Как мы уже сообщали, в октябре прошлого года компания Samsung начала выпускать первые в отрасли микросхемы мобильной памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ. И вот сейчас SK Hynix первой приступила к производству…
SD Association представила новый класс производительности «A1» для карт памяти SD, которые будут гарантированно работать с Android-приложениями
Если раньше на класс производительности карт памяти обращали внимание разве что профессиональные фотографы и обладатели гаджетов, способных записывать 4K-видео, то теперь это смогут делать…
Samsung представила первые микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса
Компания Samsung Electronics представила первые в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса (от 10 до 19 нм) и состоящие из четырех чипов плотностью…
SanDisk выпустила первую в мире карту SD объемом 1 ТБ (пока только в виде прототипа)
Сегодня компания SanDisk представила рекордно емкую карту памяти SDXC объемом 1 ТБ. Если быть точным, в данном случае речь идет о прототипе, тогда как информации о сроках выхода и стоимости…
Устройства на модулях памяти HBM2 производства SK hynix станут доступны пользователям уже в этом году
Компания SK hynix сообщила, что представители нового скоростного поколения памяти HBM2 станут доступны пользователям уже в третьем квартале 2016 года, на данный момент стартовал прием предзаказов.
«10 ТБ на квадратном сантиметре»: исследователи Делфтского технического университета разработали «атомарную» память
Исследователи Делфтского технического университета разработали новую технологию хранения данных на атомарном уровне, основанную на использовании электронного состояния атома хлора для…
HyperX обновила линейки геймерской памяти Predator DDR4 и DDR3
Специализированное подразделение HyperX американской компании Kingston Technology анонсировало обновление линеек геймерской оперативной памяти Predator DDR4 и Predator DDR3. В обновленной линейке разработчики…
Samsung показала 10-нм модуль памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, вероятно предназначенный для смартфона Galaxy Note 6
Вчера в Шэньчжэне (Китай) состоялся ежегодный форум Samsung Mobile Solutions Forum 2016, посвященный обсуждению последних технологий и тенденций ближайшего будущего в полупроводниковой индустрии. На нем…
Специалисты IBM Research первыми создали память PCM, способную хранить три бита в одной ячейке
Специалисты IBM Research совершили инженерный прорыв, который, как утверждается, может посодействовать реализации сценария перехода электронных устройств с привычной памяти DRAM и NAND на более…
JEDEC анонсировала финальную спецификацию стандарта памяти DDR4
Организация JEDEC анонсировала выпуск финальной версии спецификации стандарта оперативной памяти Synchronous DDR4 (Double Data Rate 4). Данный стандарт позволит достичь повышения производительности…