
В следующем поколении чипов Exynos 2600 компания Samsung планирует внедрить технологию Heat Pass Block. Она создана для того, чтобы значительно улучшить отвод тепла от чипа и, как следствие, повысить его производительность.
По последним данным отраслевых источников, подразделение разработки чипов Samsung впервые планирует интегрировать в чипы Exynos 2600 новый компонент — Heat Pass Block (HPB). По сути, это обычный радиатор (скорее всего медный), который располагается внутри чипа. Концепция не новая, так как похожий подход применялся к монтажу оперативной памяти в предыдущих моделях Exynos.
Оба компонента (HPB и DRAM) будут размещаться над процессорной логикой Exynos 2600 и будут запаковываться в один чип с помощью технологии Fan-out Wafer Level Packaging. Последняя, в свою очередь, предполагает монтаж чипа не в стандартный корпус, а сразу в пластиковую или эпоксидную подложку.
Несложно догадаться, что дополнительный радиатор внутри Exynos 2600 обеспечит более эффективный отвод тепла от всех горячих компонентов чипа. А учитывая появление новых высокопроизводительных конкурентов, таких как Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2 новый инженерный подход может стать решающим для сохранения конкурентоспособности Samsung. Напомним, что прототип Samsung Exynos 2600 уже «засветился» в синтетических бенчмарках с довольно неплохими результатами.
Источник: Wccftech
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: