Компания Samsung, применив 50-нанометровый процесс производства, смогла создать двухгигабитный чип памяти DDR3 (256 МБ). На базе этой разработки был построен двухсторонний модуль памяти с поддержкой коррекции ошибок (ECC), объем которого оставляет 16 ГБ, а вариант для ноутбуков – 4 ГБ. Модули памяти без поддержки ECC (используются в подавляющем большинстве пользовательских ПК) будут иметь схожие объемы.
Помимо двукратного увеличения емкости чипов памяти, инженерам Samsung удалось добиться 40-процентного уменьшения энергопотребления в сравнении с 1-гигабитными чипами прошлого поколения, а скорость работы увеличена на 60%. Еще один положительный эффект новой разработки – это возможность выпускать потребительские модули памяти традиционных объемов используя для этого меньшее количество микросхем, что влечет за собой значительное удешевление производства.
Массовое производство новых чипов памяти начнется до конца этого года.