По данным Bloomberg, в минувшую пятницу Федеральный суд Техаса признал компанию Samsung виновной в нарушении патентов, связанных с технологией FinFET. В связи с этим компанию обязали выплатить штраф в сумме $400 млн.
Отмечается, что южнокорейский институт Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) обвинил южнокорейскую компанию Samsung в «незаконном и умышленном» использовании решений технологии FinFET. Разбирательство проходило в американском суде в связи с тем, что вопросами защиты интеллектуальной собственности института KAIST занимается зарегистрированное в США подразделение KAIST IP US, которое расположено в Далласе. Это место считается «особо дружественным» для владельцев патентов.
Указанный штраф в размере $400 млн является лишь исходной суммой. Так как неправильное обращение Samsung с интеллектуальной собственностью (использование без оплаты) было признано «умышленным», компания может столкнуться с увеличением суммы выплат в 3 раза.
Институт KAIST заявил в своей жалобе, что первоначально Samsung отказалась от проведения исследований в сфере FinFet, полагая, что эта технология бесперспективна. Но ситуация изменилась после того, как конкурирующая корпорация Intel начала лицензировать изобретения в этой сфере и разрабатывать собственные продукты на их основе. В свою очередь, Samsung не согласна с такими доводами. Компания заявила, что она помогала институту развивать технологию. Также она высказала своё разочарование в связи с решением суда и заявила о намерении «рассмотреть варианты для получения приемлемого результата, включая апелляцию».
Источник: techpowerup