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Investigadores de la Universidad de Fudan (China) han creado la memoria flash más rápida del mundo, que realiza unos 25.000 millones de operaciones por segundo.
El dispositivo, denominado «PoX», tarda 400 picosegundos (0,0000000004 seg) en almacenar un bit de información. Por lo general, los sistemas estáticos y dinámicos tradicionales RAM (SRAM, DRAM) graba datos a una velocidad de 1 a 10 nanosegundos, pero no conserva la información en caso de apagón repentino. Las unidades flash no necesitan una fuente de alimentación para almacenar datos, pero tardan micro y milisegundos en almacenarlos, lo que es demasiado lento para los modernos aceleradores de inteligencia artificial que envían terabytes de datos en tiempo real.
Investigadores de la Universidad de Fudan, dirigidos por el profesor Zhou Peng rediseñó la estructura interna de la unidad flash sustituyendo los canales de silicio por grafeno Dirac bidimensional, aprovechando sus propiedades de transferencia acelerada de carga. Mediante el ajuste del canal de longitud «gaussiana», el equipo logró la superinyección bidimensional, que es efectivamente una ráfaga infinita de carga en la capa de almacenamiento que elude el clásico cuello de botella de la inyección.
Según el profesor Zhou Peng, gracias a la optimización de procesos basada en IA, su equipo consiguió llevar la unidad flash no volátil hasta su límite teórico PoX guarda datos sin fuente de alimentación de reserva. Se trata de una propiedad crítica para los sistemas de IA de próxima generación y los sistemas con propiedades de batería limitadas
Si se fabrica en serie, la memoria PoX puede sustituir a las cachés SRAM individuales de alta velocidad en los chips de IA, reduciendo el área y el consumo. Puede proporcionar conectividad instantánea a portátiles de bajo consumo y teléfonos, así como soporte para bases de datos que almacenan conjuntos enteros de trabajo en RAM permanente.
El equipo no reveló datos sobre resistencia o rendimiento, pero se espera que el canal de grafeno sea compatible con los procesos de materiales 2D existentes. Los desarrolladores están escalar la arquitectura celular y realizar demostraciones a nivel de matriz.
Fuente: Interesting Engineering