SK hynix

SK hynix начала производство 238-слойной памяти 3D NAND – шина 2400 МТ/с позволит полностью загрузить PCIe 5.0 x4

SK hynix начала массовое производство 238-слойных модулей памяти 3D NAND. Новые чипы обеспечивают скорость передачи данных 2400 МТ/с и могут…

08.06.2023

SK hynix представила LPDDR5T — самую быструю память для мобильных устройств со скоростью передачи данных до 9,6 Гбит/с

Компания SK hynix объявила о разработке самой быстрой в мире мобильной памяти DRAM LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5…

25.01.2023

SK Hynix анонсировала чипы DDR5 рекордной плотности 24 Гбит — на их основе выйдут модули объемом 48 и 96 ГБ

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем DRAM DDR5 с рекордной в отрасли плотностью кристаллов —…

15.12.2021

Спекулянты продают дефицитные модули DDR5 на eBay — цена за комплект достигает $5 тыс.

Сразу после выхода и без того недешевые модули памяти DDR5 (минимум $300–$400 за простейший комплект объемом 32 ГБ), дебютировавшей вместе…

25.11.2021

Micron анонсировала модули памяти Crucial DDR5-4800 — они доступны по одному и в наборах объемом до 64 ГБ

Производители комплектующих в последнее время наперебой анонсируют модули DDR5. Вслед за Kingston, которая анонсировала модули FURY Beast DDR5 одновременно с…

28.10.2021

MSI ожидает, что память DDR5 будет на 50-60% дороже DDR4

На следующей неделе Intel явит миру массовые настольные процессоры Core 12-го поколения и логику Z690 с поддержкой DDR5, и производители…

21.10.2021

SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.…

20.10.2021

G.Skill анонсировала наборы модулей памяти Trident Z5 DDR5 с частотой до 6400 МГц

Производители комплектующих вовсю готовятся релизу платформы Intel LGA1700 и процессоров Core 12-го поколения — не отставая от коллег по цеху,…

14.10.2021

Samsung начала массовый выпуск памяти DDR5 — по техпроцессу 14-нм с использованием EUV-литографии

Samsung Electronics сообщила о старте серийного производства памяти DRAM DDR5 — южнокорейский производитель сумел первым наладить выпуск 14-нанометровых микросхем DDR5 с…

12.10.2021

JEDEC утвердила стандарт высокоскоростной памяти LPDDR5X — с пропускной способностью до 8533 Мбит/с

Отраслевая организация JEDEC, разрабатывающая стандарты для микроэлектронной отрасли, опубликовала документ JESD209-5B, Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5). Он описывает…

29.07.2021

SK hynix начинает массовое производство чипов DRAM по нормам техпроцесса 1a с использованием EUV-литографии

Компания SK hynix заявила, что в этом месяце она начала массовое производство чипов мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 Гбит…

13.07.2021

TeamGroup анонсировала 32-гигабайтный комплект из двух модулей памяти SO-DIMM DDR5-4800 за 400 долларов

Team Group решила первой шагнуть в новую эру DDR5, не дожидаясь релиза первых массовых процессоров с поддержкой стандарта оперативной памяти…

18.06.2021

Yolle Developpement: DDR5 обойдёт по поставкам DDR4 к 2023 году

На конец этого года Intel запланировала выпуск настольной платформы LGA1700 и процессоров Core 12-го поколения (Alder Lake-S), которые ознаменуют начало…

15.06.2021

Первые модули DDR5 успешно прошли фазу тестирования

Из Китая пришли сообщения, подтверждающие, что как минимум двум производителям удалось наладить выпуск модулей памяти DDR5 спустя всего несколько недель…

26.04.2021

СМИ: SK Hynix получила разрешение на строительство в Южной Корее мега-фабрики за 106 миллиардов долларов

Из Южной Кореи пришли сообщения, что правительство страны дало местной компании SK Hynix (входит в тройку крупнейших мировых производителей памяти DRAM…

02.04.2021

18 ГБ ОЗУ в смартфоне — теперь реальность. SK Hynix начала выпуск соответствующих модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix на днях объявил о начале массового производства модулей оперативной памяти LPDDR5 объемом 18 ГБ…

09.03.2021

Team Group анонсировала модули DDR5 формата SO-DIMM для мини-ПК и ноутбуков

Производители компьютерных комплектующих в последнее время наперебой анонсируют выпуск модулей оперативной памяти нового стандарта Double Data Rate 5 (DDR5), соревнуясь…

26.01.2021

У Team Group готовы первые модули DDR5 потребительского уровня

Компания Team Group, известная своими добротными модулями ОЗУ, с гордостью сообщила о том, что ей удалось создать первый в мире инженерный…

15.12.2020

SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил о создании «самой многослойной в отрасли» 176-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью…

07.12.2020

За $9 млрд SK Hynix выкупает у Intel бизнес по производству флэш-памяти NAND

В ночь на 20 октября южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявила о подписании соглашения с американской корпорацией Intel. В…

20.10.2020

У SK Hynix готова «первая в мире» память DDR5 DRAM

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сегодня сообщил о выпуске «первых в мире» модулей оперативной памяти стандарта DDR5 (Double Data…

06.10.2020

Samsung и SK Hynix прекращают продажу DRAM и NAND чипов компании Huawei

Как мы знаем, с 15 сентября компания TSMC прекращает производство мобильных чипсетов для Huawei. Это стало следствием санкций со стороны…

09.09.2020

Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM

Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла…

17.08.2020

JEDEC утвердила стандарт оперативной памяти DDR5

Отраслевая организация JEDEC, разрабатывающая стандарты для микроэлектронной отрасли, утвердила финальную спецификацию оперативной памяти DDR5 (Double Data Rate 5). Новый стандарт…

15.07.2020

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной…

03.07.2020

24 Гбит и DDR5-4800 для первого поколения. SK Hynix начнет выпускать чипы DDR5 уже в этом году

SK Hynix, демонстрировавшая на выставке CES 2020 в январе готовый модуль памяти DDR5-4800 МГц, подтвердила планы начать серийный выпуск микросхем…

03.04.2020

SK hynix разработала более эффективную технологию производства 16-гигабитных чипов DDR4 DRAM

Компания SK hynix заявила, что её удалось разработать чипы памяти DRAM DDR4 (Double Data Rate 4) ёмкостью 16 Гбит, которые…

21.10.2019

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

Компания SK Hynix сегодня объявила о завершении разработки памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью…

12.08.2019

SK Hynix начала серийный выпуск первой в мире 128-слойной флэш-памяти 4D NAND

Компания SK Hynix сегодня сообщила о начале серийного выпуска первой в отрасли 128-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит,…

26.06.2019

SK Hynix выведет на рынок память DDR5 к 2020 году и уже работает над DDR6

Компьютерная память стандарта DDR5 может поступить на рынок в 2020 году. Об этом заявляет научный сотрудник компании SK Hynix Ким…

29.01.2019

Samsung, Micron и Hynix, похоже, не избежать штрафа за ценовой сговор на рынке DRAM

Несмотря на то, что суперцикл роста цен на память DRAM, длившийся девять кварталов, закончился, и, как известно, сейчас эта самая…

21.11.2018

SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

Компания SK Hynix заявила о выпуске первых в мире 96-слойных чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Фактически эти…

06.11.2018

Samsung, Micron и Hynix грозит штраф до $8 млрд за ценовой сговор на рынке DRAM

Не секрет, что память DRAM дорожает уже много кварталов подряд, за 2017 год цены выросли на 47%, что является самым…

22.06.2018

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек

На сегодняшний день самая передовая серийно выпускаемая флэш-память NAND с вертикальной объемной компоновкой имеет 64-слойную структуру (лишь SK Hynix делает…

16.05.2018

Конец эпопеи: Toshiba продает свой полупроводниковый бизнес за $18 млрд

Эпопея с продажей полупроводникового бизнеса Toshiba, которая тянется с начала этого года, наконец-то завершилась. И завершилась, надо сказать, весьма неожиданно…

21.09.2017

SK Hynix представила первые микросхемы памяти GDDR6 с пропускной способностью до 768 Гбайт/с

Вчера компания SK Hynix сообщила о выпуске самой быстрой в отрасли памяти для графических подсистем. Речь идет о микросхемах памяти…

24.04.2017

SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD

Компания SK Hynix анонсировала первую в отрасли 72-слойную флэш-память 3D NAND плотностью 256 Гбит, в которой используются ячейки TLC и…

11.04.2017

У SK Hynix готовы первые в мире микросхемы мобильной памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ

Как мы уже сообщали, в октябре прошлого года компания Samsung начала выпускать первые в отрасли микросхемы мобильной памяти LPDDR4 DRAM…

10.01.2017

Обзор накопителя SK Hynix Canvas SL308 500 ГБ

Повышенный спрос на твердотельные накопители привлекает к SSD внимание все большего количества производителей, которые готовы «ловить волну». Подобный ажиотаж только…

22.07.2016

Устройства на модулях памяти HBM2 производства SK hynix станут доступны пользователям уже в этом году

Компания SK hynix сообщила, что представители нового скоростного поколения памяти HBM2 станут доступны пользователям уже в третьем квартале 2016 года,…

22.07.2016