Un holandés de 17 años olvidó su lengua materna durante una operación, sólo hablaba inglés y pensaba que estaba en EE.UU.
En los Países Bajos, se produjo un caso muy raro cuando un chico de 17 años después de la operación sobre sus rodillas, olvidó de repente su lengua materna y a sus propios padres y sólo hablaba inglés, pensando que estaba en Estados Unidos.
Descubrimiento accidental: los científicos reducen mil millones de veces el consumo de energía de la memoria PCM
La transición de fase en la memoria de cambio de fase PCM fue accidentalmente inducida no por calentamiento, sino por corriente constante, lo que significa mucho menos consumo y una gran cantidad de perspectivas técnicas.
NVIDIA GeForce RTX 50xx será la primera en tener memoria GDDR7, — insider
Un insider dice que las tarjetas gráficas NVIDIA GeForce RTX 50xx serán las primeras en recibir memoria de nueva generación GDDR7. Las variantes de escritorio tendrán exclusivamente memoria de Samsung.
Samsung presenta una memoria GDDR7 en módulos de 3 GB — una vez y media más grande y dos veces más rápida
Samsung ha anunciado la primera memoria GDDR7 «24 gigabits (3 gigabytes) del sector para tarjetas gráficas. Admite velocidades superiores a 40 Gbps.
Los chips HBM de Samsung no superan las pruebas de Nvidia por su elevado consumo y problemas de generación de calor – Reuters
Los chips de memoria HBM (memoria de gran ancho de banda) más recientes de Samsung no superaron la prueba de Nvidia de idoneidad para su uso en aceleradores de inteligencia artificial. El problema es que dichos chips consumen demasiada energía y generan demasiado calor. Así lo afirmaron tres personas con conocimiento del asunto.
SK hynix anuncia SSD de 300TB y otras tecnologías para centros de datos e IA
SK hynix ha anunciado en una rueda de prensa en Seúl que está creando una enorme unidad SSD de 300 TB. La SSD se anunció como parte de una amplia cartera de dispositivos y tecnologías para centros de datos e IA.
DRAM y NAND en un solo chip — los investigadores crean una memoria con cambio de fase que consume poca energía
Investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea del Sur (KAIST) han desarrollado un nuevo tipo de memoria de cambio de fase que no presenta los inconvenientes de las iteraciones anteriores de esta tecnología.
Samsung inicia la producción de la nueva generación de memorias V-NAND: +33% de rendimiento y -10% de consumo energético
Samsung anunciado ha anunciado el inicio de la producción en masa de su memoria flash V-NAND de 9ª generación, que ofrece un aumento del 33% respecto a la tecnología actual. La producción de la V-NAND TCL de 1 TB comenzará este mes, y la QLC llegará en la segunda mitad de 2024. Anteriormente, el inicio de la producción fue confirmado por…
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