Samsung ha iniciado la producción en masa de su memoria flash V9 QLC de novena generación. Esto significa unidades SSD más rápidas, baratas y energéticamente más eficientes.
La empresa afirma que la nueva V9 QLC aprovecha la tecnología Can Hole Etching para lograr el mayor número de capas del sector (280) con un diseño de doble pila. Aprovechando la experiencia previa con la 9ª generación de TLC, la V9 QLC es aproximadamente un 86% más densa que la anterior generación de V-NAND QLC. Samsung también utiliza las tecnologías Designed Mold y Predictive Program para aumentar el rendimiento del almacenamiento en aproximadamente un 20% y las velocidades de E/S en un 60%.
El consumo de energía también se ha reducido significativamente con el diseño de bajo consumo. Éste reduce el voltaje que impulsa las celdas NAND y reduce el consumo de energía en un 30% o 50% para la lectura y escritura de datos, respectivamente.
Samsung tiene previsto aplicar la 9ª generación QLC en una gran variedad de productos, desde unidades SSD convencionales hasta memorias UFS para teléfonos móviles. Samsung promete la nueva QLC a los clientes proveedores de servicios en la nube como unidades SSD para servidores.
El nuevo QLC de 280 capas de Samsung parece ser el mejor del sector, con la mejor densidad y rendimiento en comparación con las soluciones de la competencia. Con una densidad de almacenamiento de 19,5 Gbps, la V9 es casi un 50% más densa que la siguiente mejor solución, la QLC de 232 capas y 20,63 mm2 de YMTC. El rendimiento es hasta un 33% más rápido que el de la competencia, con una velocidad operativa de 3,2 Gbps.
Con estas mejoras, Samsung podrá abaratar las unidades casi un 50%. El rendimiento también será significativamente mejor, ya que es probable que la V9 QLC tenga un rendimiento cercano al de las SSD de bajo coste que utilizan memoria flash NAND TLC.
Fuentes: Samsung, Tom`s Hardware
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